日本ae-mic用于超高精度電阻器檢查AE-163D

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更新日期：2024-03-18

簡(jiǎn)要描述：

日本ae-mic用于超高精度電阻器檢查AE-163D
適用于 B，C，D，F(xiàn)，G，J，K類，切屑，熔體，徑向和軸向電阻器的分揀和編帶機(jī)

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日本ae-mic用于超高精度電阻器檢查AE-163D

適用?于 B，C，D，F(xiàn)，G，J，K類，切屑，熔體，徑向和軸向電阻器的分揀和編帶機(jī)

超高精度：分辨率10ppm，基本精度±0.005％
通過靜態(tài)功率抵消測(cè)量實(shí)現(xiàn)高精度和高穩(wěn)定性
由于從模擬到數(shù)字的隔離而提高了抗噪聲能力，因此具有很高的穩(wěn)定性
通過對(duì)每個(gè)范圍進(jìn)行測(cè)量值積分時(shí)間設(shè)置功能，實(shí)現(xiàn)超高速和高穩(wěn)定性測(cè)量
值測(cè)量：0.00mΩ?125.00MΩ
％測(cè)量：5mΩ?109mΩ[±10.000％/-99.99?+ 25.00％]
接觸檢查：測(cè)量前/測(cè)量后/ OFF
RS-232C接口標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備（GP-IB是可選的）
打印機(jī)輸出標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備（與Centronics兼容）
設(shè)置值傳送功能作為標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備：（相同的設(shè)置數(shù)據(jù)可以傳送到另一臺(tái)AE-163D并自動(dòng)設(shè)置）
測(cè)量電流/測(cè)量電壓異常檢查電路的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備
配備測(cè)量探頭自動(dòng)清潔電路

校準(zhǔn)后90天[校準(zhǔn)后1年：兩倍]的測(cè)量范圍和基本精度（環(huán)境溫度23°C±5°C）

日本ae-mic用于超高精度電阻器檢查AE-163D

測(cè)量范圍	標(biāo)準(zhǔn)值設(shè)定范圍	實(shí)測(cè)電流	測(cè)量精度^*
測(cè)量范圍	標(biāo)準(zhǔn)值設(shè)定范圍	實(shí)測(cè)電流	慢[高分辨率]	快速[LO-Resco。]	快速[Lo-Resco。]
100毫歐	5mΩ-100mΩ	180毫安	±0.01％±α±10d以內(nèi)	在±0.02％±α±2d之內(nèi)	≤±0.03％±2α±3d±[2 /（1 + n）] d
1Ω	100.1mΩ?1Ω	180毫安	在±0.005％±α±3d之內(nèi)	±0.02％±α±1d以內(nèi)	≤±0.02％±α±2d±[2 /（1 + n）] d
10Ω	1.001Ω?10Ω	90毫安	在±0.005％±α±3d之內(nèi)	±0.02％±α±1d以內(nèi)	≤±0.02％±α±2d±[2 /（1 + n）] d
100Ω	10.01Ω-100Ω	18毫安	±0.005％±1d以內(nèi)	±0.02％±1d以內(nèi)	在±0.02％±2d±[1 /（1 + n）] d之內(nèi)
1kΩ	100.1Ω?1kΩ	9毫安
10kΩ的	1.001kΩ?10kΩ	0.9毫安
100kΩ的	10.01kΩ-100kΩ	90微安
1兆歐	100.1kΩ?1MΩ	9微安	±0.007％±1d以內(nèi)		在±0.05％±2d±[1 /（1 + n）] d之內(nèi)
10兆歐	1.001MΩ?10MΩ	0.9微安	±0.02％±10d以內(nèi)	±0.03％±1d以內(nèi)	在±0.2％±4d±[1 /（1 + n）] d之內(nèi)
100兆歐	10.01MΩ-100MΩ	0.09微安	±0.1％±20d以內(nèi)	±0.1％±2d以內(nèi)	---

* D =數(shù)字，n =積分時(shí)間（毫秒），使用Lo-Reso測(cè)量值
％時(shí)測(cè)量：α=（100 /標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定值mΩ）x 0.01％，測(cè)量值時(shí)： α= 0（加±1d）
**屏蔽狀態(tài)下的精度

測(cè)量時(shí)間	外部啟動(dòng)		自由奔跑
	慢	快速	慢	快速
	大約24毫秒-400毫秒	大約11毫秒-400毫秒	約5次/秒? 約2次/秒	約10次/秒? 約2次/秒

*規(guī)格如有變更，恕不另行通知。

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