valcom沃康壓力傳感器工作原理
通過雜質(zhì)擴散在硅片壓力傳感部分(硅膜片)上形成硅壓力表,與普通IC制造工藝類似。
當(dāng)對硅芯片施加壓力時,應(yīng)變計電阻會根據(jù)偏轉(zhuǎn)而變化,并轉(zhuǎn)換為電信號。(壓阻效應(yīng))
該應(yīng)變計的特點是應(yīng)變系數(shù)大。(金屬規(guī)有2~3,硅規(guī)有10~100)。
因此,可以獲得高輸出,可以制造厚膜片并提高壓力傳感器的耐壓性。
半導(dǎo)體壓力傳感器
VDP4、VSW2(低壓用)等
半導(dǎo)體膜片壓力傳感器由直接與測量介質(zhì)接觸的高耐腐蝕金屬膜片(相當(dāng)于哈氏合金C-22、SUS316L等)和通過密封件檢測壓力的硅片(硅膜片)組成。硅油。)使用雙隔膜系統(tǒng)。
SUS316L隔膜(或哈氏合金C-22等效物等)通過壓力入口與測量介質(zhì)直接接觸,使得可以穩(wěn)定地測量不浸透它的介質(zhì)(空氣、水、油等)。[當(dāng)連接螺紋形狀為G3/8時,使用O型圈(氟橡膠)密封管道。]
我們可以制造各種可以測量正壓、負(fù)壓、復(fù)合壓力和絕對壓力的傳感器元件。
與介質(zhì)直接接觸的受壓部件材質(zhì)相當(dāng)于哈氏合金C-22,可用SUS316L制造,因此具有優(yōu)異的耐腐蝕性。
檢測壓力的硅芯片的膜片較厚,因此具有優(yōu)異的耐壓性能。
半導(dǎo)體膜片壓力傳感器
VESW、VESX、VESY、VESZ、VHR3、VHG3、VAR3、VAG3、VPRNP、VPNPR、VPNPG、VNF、HS1、HV1、AS1、AV1、NS1、NV1、VESI、VESV、VSW2、VST等
將左圖所示的電阻橋粘貼在受壓部的金屬膜片的背面,將施加壓力時金屬膜片的變形量作為電壓變化進(jìn)行檢測。
由于金屬膜片表面存在應(yīng)變量較大的部分和應(yīng)變量較小的部分,因此在四個位置粘貼了電阻,其結(jié)構(gòu)使得即使應(yīng)變量不均勻也能正確檢測。
沒有焊接或 O 形圈接頭,隔膜是一體式的,堅固耐用。
可高精度、耐高溫(150℃)生產(chǎn)
應(yīng)變式壓力傳感器
VSD4、NSMS-A6VB、HSSC、HSSC-A6V、VHS、VHST、HSMC2、HSMC、VPE、VPB、VPRT、VPRTF、VPRQ、VPRQF、VPVT、VPVTF、VPVQ、VPVQF、VPRF、VFM、VF、 VFS、VTRF、VPRF2、VPRH2 等
我們的薄膜壓力傳感器是隔膜式的,使用金屬壓力表薄膜。當(dāng)從壓力入口施加壓力時,膜片變形,形成在膜片上的金屬儀表薄膜變形,導(dǎo)致檢測到的電阻變化。
它提供比應(yīng)變計壓力傳感器更靈敏的輸出,并且具有比半導(dǎo)體壓力傳感器更小的溫度系數(shù)。
由于溫度系數(shù)恒定,因此溫度特性非常好。
提供長期穩(wěn)定的輸出,幾乎不會隨著時間的推移而惡化
可耐高溫(200℃)
電壓開關(guān)2
當(dāng)有電流流向輸入端時,壓力會施加到金屬量規(guī)薄膜上,導(dǎo)致失真,表現(xiàn)為輸出側(cè)電信號的變化。